ГлавнаяПо тегу "VTFET"
2

Компании IBM и Samsung Electronics совместно объявили о прорыве в разработке полупроводниковых технологий, с использованием новой вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает путь к масштабированию за пределы наноуровня и имеет потенциал значительного снижения энергопотребления по сравнению с транзисторами FinFET. Обычно транзисторы проектировались так, чтобы «лежать» на поверхности

Подробнее