ГлавнаяТелекомСобытияIBM и Samsung объявили о прорыве в области полупроводниковых технологий

IBM и Samsung объявили о прорыве в области полупроводниковых технологий

IBM Samsung

Компании IBM и Samsung Electronics совместно объявили о прорыве в разработке полупроводниковых технологий, с использованием новой вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает путь к масштабированию за пределы наноуровня и имеет потенциал значительного снижения энергопотребления по сравнению с транзисторами FinFET.

Обычно транзисторы проектировались так, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, при этом электрический ток идет в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие название Vertical Transport Field Effect Transistors, или VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и ток в них идет вверх или вниз.

Процесс VTFET устраняет многие препятствия на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Он также касается контактов транзисторов, позволяя получить больший ток с меньшими потерями энергии. Новая конструкция нацелена на двукратное улучшение производительности или на сокращение энергопотребления на 85% по сравнению с FinFET.

Отмечается, что глобальная нехватка полупроводников «подчеркнула критически важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а также важность микросхем во всем: от вычислений до бытовой техники, устройств связи, транспортных систем и критически важных инфраструктур».

Samsung Galaxy Tab A8: 10,5-дюймовый экран и аккумулятор на 7040 мА•ч
Honor X30: экран 120 Hz, процессор Snapdragon 695 и до 12 Gb ОЗУ