ГлавнаяТехнологииHardwareSamsung представила память DRAM третьего поколения, выполненную на 10-нм техпроцессе

Samsung представила память DRAM третьего поколения, выполненную на 10-нм техпроцессе

Samsung DRAM

Компания Samsung Electronics, лидирующая на рынке памяти DRAM, объявила о разработке третьего поколения 10-нм техпроцесса, который известен под обозначением 1z нм. Первым в отрасли южнокорейский производитель представил память DRAM DDR4 плотностью 8 Гбит, изготавливаемую по нормам 1z нм. Отметим, что это произошло всего через 16 месяцев с момента начала массового производства кристаллов DDR4 такой же плотности по нормам 1y нм, и производитель смог обойтись без перехода на использование литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), снова отодвинув границу масштабирования DRAM.

Переход на 1z нм привел к повышению производительности DRAM DDR4 более чем на 20%.

Серийный выпуск кристаллов DDR4 плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по нормам 1z нм, начнется во втором полугодии. Эта память будет предназначена для корпоративных серверов следующего поколения и высокопроизводительных ПК, которые должны появиться на рынке в 2020 году, сообщает ixbt.com.

Автомобили Volvo будут контролировать нетрезвых водителей
Apple выдвинула новые требования к приложениям для iPhone, iPad и Apple Watch
Оформление подписки
Оформить подписку на журнал InfoCity вы можете заполнив приведенную
ниже форму. Стоимость одного выпуска — 2 маната.
Ваше имя
Адрес доставки журнала и номер телефона для контактов
Число месяцев подписки
Благодарим вас за подписку!